氮化铝可用于作真空蒸发和熔炼金属的容器，特别适于作真空蒸发铝的坩埚，因为氮化铝在真空中加热蒸汽压低，即使分解，也不会污染铝。氮化铝也可以作热电偶保护套，在空气中800一一1000℃铝池中连续浸泡3000hI,J,I--Lk__,没有侵蚀破坏。在半导体工业中，用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成砷化稼，可以完全消除Si对砷化稼的污染而得到高纯产品。含有Si，Mg O的热压Al N制品。其导热系数达0．63W／cm．K，可以用作集成电路基板。产品的热压温度为1800 oC，压力30时间30min．加入CaF 2可以减少AI N的摩擦系数，因此可用作潜水泵减磨零件。但添加量1 0％以上时，在酸碱溶液中的稳定性很高，同无添加剂#JAI N制品相近。AI N和A1203反应可生成单相立方氮氧尖晶石，它有很好的高温强压，1500 oC时强度仍保持在500M Pa，它的化学稳定性更高，是很好的耐火材料。“此外，氮化铝热膨胀系数小，导热性好，还有高的强度，因此可用作高温构件、热交换器等包装：氮化铝包装于高压塑料袋中，每袋净重为1公斤，也可按照客户的要求包装。